0 0 0
  8. SI4178DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI4178DY-T1-GE3

 
SI4178DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 895456
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
43.67 грн
50+
32.08 грн
51+
19.52 грн
140+
18.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2493 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6,7А(1441280)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
5Вт(1520960)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,116 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI4178DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 895456
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
43.67 грн
50+
32.08 грн
51+
19.52 грн
140+
18.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2493 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6,7А
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,116 g