0 0 0
  8. SI4204DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI4204DY-T1-GE3

 
SI4204DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405717
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 15,5А; Idm: 50А; 2,1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
130.80 грн
5+
118.04 грн
12+
89.32 грн
31+
84.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
15,5А(1609997)
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм(1478952)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI4204DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405717
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 15,5А; Idm: 50А; 2,1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
130.80 грн
5+
118.04 грн
12+
89.32 грн
31+
84.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
15,5А
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
45нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g