0 0 0
  8. SI4401DDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4401DDY-T1-GE3

 
SI4401DDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405840
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.33 грн
10+
52.15 грн
43+
23.66 грн
118+
22.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3397 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-16,1А(1811152)
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм(1479025)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
4Вт(1449365)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
95нC(1609950)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-50А(1810523)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,149 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4401DDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405840
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.33 грн
10+
52.15 грн
43+
23.66 грн
118+
22.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3397 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-16,1А
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
95нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,149 g