0 0 0
  8. SI4401FDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4401FDY-T1-GE3

 
SI4401FDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 837860
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.58 грн
5+
49.44 грн
25+
44.51 грн
29+
34.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3542 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-11А(1479014)
Сопротивление в открытом состоянии
18,3мОм(1810508)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
3,2Вт(1449372)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-80А(1789209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,154 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4401FDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 837860
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.58 грн
5+
49.44 грн
25+
44.51 грн
29+
34.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3542 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-11А
Сопротивление в открытом состоянии
18,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,154 g