0 0 0
  8. SI4425FDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4425FDY-T1-GE3

 
SI4425FDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860515
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18,3А; Idm: -70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
49.96 грн
3+
46.60 грн
10+
38.95 грн
25+
35.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-18,3А(1811145)
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм(1479178)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
4,8Вт(1785124)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
41нC(1479238)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-70А(1811056)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4425FDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860515
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18,3А; Idm: -70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
49.96 грн
3+
46.60 грн
10+
38.95 грн
25+
35.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-18,3А
Сопротивление в открытом состоянии
16мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
4,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
41нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g