0 0 0
  8. SI4431CDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4431CDY-T1-GE3

 
SI4431CDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405843
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
37.62 грн
25+
33.98 грн
39+
26.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1043 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-7,2А(1492368)
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм(1441272)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,7Вт(1741762)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-30А(1811033)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,157 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4431CDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405843
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
37.62 грн
25+
33.98 грн
39+
26.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1043 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-7,2А
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
38нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,157 g