0 0 0
  8. SI4447DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4447DY-T1-GE3

 
SI4447DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853277
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.56 грн
10+
51.64 грн
25+
46.53 грн
27+
37.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
72мОм(1520449)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14нC(1479029)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-30А(1811033)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4447DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853277
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.56 грн
10+
51.64 грн
25+
46.53 грн
27+
37.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
72мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g