0 0 0
  8. SI4455DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4455DY-T1-GE3

 
SI4455DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140925
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.11 грн
5+
84.54 грн
15+
69.39 грн
39+
65.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-150В(1478961)
Ток стока
-2,3А(1479077)
Сопротивление в открытом состоянии
0,295Ом(1738133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
3,8Вт(1449546)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23,2нC(1738134)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4455DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140925
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.11 грн
5+
84.54 грн
15+
69.39 грн
39+
65.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-150В
Ток стока
-2,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,295Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23,2нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g