Транзисторы с каналом P SMD SI4463BDY-E3

 
SI4463BDY-E3
 
Артикул: 140927
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.82 грн
5+
69.06 грн
18+
58.74 грн
47+
55.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1219 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-11,1А(1643359)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
3Вт(1487308)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,163 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4463BDY-E3
VISHAY
Артикул: 140927
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.82 грн
5+
69.06 грн
18+
58.74 грн
47+
55.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1219 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-11,1А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,163 g