0 0 0
  8. SI4488DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI4488DY-T1-GE3

 
SI4488DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 686973
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,8А; Idm: 50А; 1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.93 грн
5+
79.49 грн
16+
66.11 грн
42+
62.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
2,8А(1602409)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI4488DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 686973
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,8А; Idm: 50А; 1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.93 грн
5+
79.49 грн
16+
66.11 грн
42+
62.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
2,8А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g