0 0 0
  8. SI4848DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI4848DY-T1-GE3

 
SI4848DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853606
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 3,7А; Idm: 25А; 3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.42 грн
5+
71.47 грн
17+
58.77 грн
47+
55.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
3,7А(1441259)
Сопротивление в открытом состоянии
95мОм(1441490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3Вт(1487308)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
25А(1742151)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI4848DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853606
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 3,7А; Idm: 25А; 3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.42 грн
5+
71.47 грн
17+
58.77 грн
47+
55.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
3,7А
Сопротивление в открытом состоянии
95мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g