0 0 0
  8. SI4850EY-T1-E3

Транзисторы с каналом N SMD SI4850EY-T1-E3

 
SI4850EY-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 959602
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 40А; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.77 грн
26+
38.96 грн
50+
38.88 грн
71+
36.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1375 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
8,5А(1479174)
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм(1610028)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3,3Вт(1607485)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,161 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI4850EY-T1-E3
VISHAY
Артикул: 959602
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 40А; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.77 грн
26+
38.96 грн
50+
38.88 грн
71+
36.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1375 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
8,5А
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
27нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,161 g