Транзисторы многоканальные SI4925DDY-T1-GE3

 
SI4925DDY-T1-GE3
 
Артикул: 000317
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.65 грн
5+
40.73 грн
25+
35.33 грн
32+
30.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3897 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-5,9А(1492576)
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм(1479050)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
5Вт(1520960)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
50нC(1479381)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,162 g
 
Транзисторы многоканальные SI4925DDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 000317
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.65 грн
5+
40.73 грн
25+
35.33 грн
32+
30.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3897 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-5,9А
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
50нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,162 g