0 0 0
  1. Главная
  2. Продукция
  3. Полупроводники
  4. Транзисторы
  5. Транзисторы униполярные
  6. Транзисторы многоканальные
  7. SI4946BEY-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI4946BEY-T1-GE3

 
SI4946BEY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 000320
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
186.15 грн
5+
168.91 грн
10+
153.40 грн
23+
51.71 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
4,4А(1441573)
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
3,7Вт(1487295)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,116 g
 
Транзисторы многоканальные SI4946BEY-T1-GE3
Транзисторы многоканальные SI4946BEY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 000320
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
186.15 грн
5+
168.91 грн
10+
153.40 грн
23+
51.71 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
4,4А
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
3,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,116 g