0 0 0
  7. SI4963BDY-T1-E3

Транзисторы многоканальные SI4963BDY-T1-E3

 
SI4963BDY-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 853376
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.64 грн
10+
89.70 грн
16+
65.09 грн
43+
61.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-6,5А(1479046)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-40А(1810549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SI4963BDY-T1-E3
VISHAY
Артикул: 853376
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
97.64 грн
10+
89.70 грн
16+
65.09 грн
43+
61.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-6,5А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g