0 0 0
  8. SI5457DC-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI5457DC-T1-GE3

 
SI5457DC-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 854782
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
40.43 грн
5+
29.65 грн
25+
26.72 грн
47+
21.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм(1479311)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
5,7Вт(1785130)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI5457DC-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 854782
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
40.43 грн
5+
29.65 грн
25+
26.72 грн
47+
21.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
5,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
38нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g