0 0 0
  7. SI5935CDC-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI5935CDC-T1-GE3

 
SI5935CDC-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 952611
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.15 грн
10+
28.90 грн
25+
24.77 грн
50+
20.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-10А(1788019)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы многоканальные SI5935CDC-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 952611
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.15 грн
10+
28.90 грн
25+
24.77 грн
50+
20.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g