0 0 0
  8. SI6926ADQ-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI6926ADQ-T1-GE3

 
SI6926ADQ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853715
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
47.64 грн
5+
42.88 грн
24+
42.00 грн
25+
38.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSSOP8(1443829)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
4,5А(1441265)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10,5нC(1609889)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI6926ADQ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853715
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
47.64 грн
5+
42.88 грн
24+
42.00 грн
25+
38.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSSOP8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g