0 0 0
  8. SI7115DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7115DN-T1-GE3

 
SI7115DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 952525
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
145.82 грн
10+
121.92 грн
14+
75.70 грн
36+
71.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-150В(1478961)
Ток стока
-8,9А(1492313)
Сопротивление в открытом состоянии
0,295Ом(1738133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-15А(1741670)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,082 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7115DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 952525
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
145.82 грн
10+
121.92 грн
14+
75.70 грн
36+
71.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-150В
Ток стока
-8,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,295Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
42нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-15А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,082 g