0 0 0
  8. SI7145DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7145DP-T1-GE3

 
SI7145DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953682
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.85 грн
8+
132.56 грн
21+
125.42 грн
100+
122.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-60А(1693696)
Сопротивление в открытом состоянии
3,75мОм(1986068)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
413нC(1986069)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-100А(1810553)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7145DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953682
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.85 грн
8+
132.56 грн
21+
125.42 грн
100+
122.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-60А
Сопротивление в открытом состоянии
3,75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
413нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g