0 0 0
  8. SI7164DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI7164DP-T1-GE3

 
SI7164DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853708
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 80А; 104Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
199.31 грн
5+
178.67 грн
8+
141.35 грн
20+
133.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
6,25мОм(1986218)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
75нC(1479015)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI7164DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853708
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 80А; 104Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
199.31 грн
5+
178.67 грн
8+
141.35 грн
20+
133.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
6,25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
75нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g