0 0 0
  8. SI7288DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI7288DP-T1-GE3

 
SI7288DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853576
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
105.62 грн
10+
77.03 грн
17+
58.77 грн
46+
55.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2943 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
15,6Вт(1742011)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,158 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI7288DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853576
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
105.62 грн
10+
77.03 грн
17+
58.77 грн
46+
55.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2943 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
15,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,158 g