0 0 0
  8. SI7461DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7461DP-T1-GE3

 
SI7461DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405867
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,6А; Idm: -60А; 1,2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
172.25 грн
3+
159.55 грн
9+
114.31 грн
25+
107.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5994 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-8,6А(1811140)
Сопротивление в открытом состоянии
14,5мОм(1479399)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,2Вт(1449368)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,19мкC(1950536)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-60А(1811034)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,154 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7461DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405867
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,6А; Idm: -60А; 1,2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
172.25 грн
3+
159.55 грн
9+
114.31 грн
25+
107.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 5994 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-8,6А
Сопротивление в открытом состоянии
14,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,19мкC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,154 g