0 0 0
  8. SI7465DP-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI7465DP-T1-E3

 
SI7465DP-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 953683
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.84 грн
10+
74.90 грн
17+
58.97 грн
46+
55.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2869 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-5А(1492225)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
3,5Вт(1449548)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-25А(1810550)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,161 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7465DP-T1-E3
VISHAY
Артикул: 953683
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
90.84 грн
10+
74.90 грн
17+
58.97 грн
46+
55.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2869 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-5А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
40нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,161 g