0 0 0
  8. SI7469DP-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI7469DP-T1-E3

 
SI7469DP-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 853373
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
172.25 грн
7+
147.65 грн
19+
139.71 грн
100+
134.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-80В(1536865)
Ток стока
-28А(1478960)
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм(1479159)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
160нC(1479521)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-40А(1810549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7469DP-T1-E3
VISHAY
Артикул: 853373
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
172.25 грн
7+
147.65 грн
19+
139.71 грн
100+
134.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-80В
Ток стока
-28А
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
160нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g