0 0 0
  7. SI7540ADP-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI7540ADP-T1-GE3

 
SI7540ADP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853960
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 12/-9А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.97 грн
5+
99.95 грн
11+
92.08 грн
25+
88.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
12/-9А(1996978)
Сопротивление в открытом состоянии
43/19,5мОм(1986184)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
3,5Вт(1449548)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
48/27нC(1986185)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SI7540ADP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853960
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 12/-9А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.97 грн
5+
99.95 грн
11+
92.08 грн
25+
88.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
12/-9А
Сопротивление в открытом состоянии
43/19,5мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
48/27нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g