0 0 0
  8. SI7615ADN-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7615ADN-T1-GE3

 
SI7615ADN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405874
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
52.39 грн
33+
30.96 грн
91+
29.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3677 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-35А(1733903)
Сопротивление в открытом состоянии
4,4мОм(1479260)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
183нC(1714108)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-80А(1789209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,094 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7615ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405874
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
52.39 грн
33+
30.96 грн
91+
29.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3677 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-35А
Сопротивление в открытом состоянии
4,4мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
183нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,094 g