0 0 0
  8. SI7617DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7617DN-T1-GE3

 
SI7617DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405875
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
64.30 грн
10+
51.52 грн
25+
41.91 грн
67+
39.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2890 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-13,9А(1811142)
Сопротивление в открытом состоянии
12,3мОм(1501024)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
59нC(1479513)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-60А(1811034)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,106 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7617DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405875
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
64.30 грн
10+
51.52 грн
25+
41.91 грн
67+
39.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2890 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-13,9А
Сопротивление в открытом состоянии
12,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
59нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,106 g