0 0 0
  8. SI7619DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7619DN-T1-GE3

 
SI7619DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860513
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
45.90 грн
25+
40.28 грн
29+
35.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-24А(1478967)
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм(1441517)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
27,8Вт(1741938)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
50нC(1479381)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-50А(1810523)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7619DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860513
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
45.90 грн
25+
40.28 грн
29+
35.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-24А
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
27,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
50нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g