0 0 0
  8. SI7625DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7625DN-T1-GE3

 
SI7625DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405876
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
71.44 грн
5+
64.30 грн
21+
49.22 грн
56+
46.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-17,3А(1811143)
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм(1441318)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
126нC(1629833)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-80А(1789209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7625DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405876
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
71.44 грн
5+
64.30 грн
21+
49.22 грн
56+
46.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-17,3А
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
126нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g