Транзисторы с каналом P SMD SI7629DN-T1-GE3

 
SI7629DN-T1-GE3
 
Артикул: 860512
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.98 грн
5+
70.29 грн
18+
56.07 грн
50+
52.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-35А(1733903)
Сопротивление в открытом состоянии
11,7мОм(1479175)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
52Вт(1507407)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
177нC(1712997)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-80А(1789209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7629DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860512
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.98 грн
5+
70.29 грн
18+
56.07 грн
50+
52.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-35А
Сопротивление в открытом состоянии
11,7мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
52Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
177нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g