0 0 0
  7. SI7938DP-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI7938DP-T1-GE3

 
SI7938DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853575
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.40 грн
10+
88.93 грн
14+
72.41 грн
38+
68.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2922 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
46Вт(1449557)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,152 g
 
Транзисторы многоканальные SI7938DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853575
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.40 грн
10+
88.93 грн
14+
72.41 грн
38+
68.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2922 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
46Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
65нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,152 g