0 0 0
  7. SI7997DP-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI7997DP-T1-GE3

 
SI7997DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853421
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.68 грн
5+
130.18 грн
9+
122.25 грн
23+
115.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-60А(1693696)
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм(1479522)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
46Вт(1449557)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
160нC(1479521)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-100А(1810553)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SI7997DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853421
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.68 грн
5+
130.18 грн
9+
122.25 грн
23+
115.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-60А
Сопротивление в открытом состоянии
7,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
46Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
160нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g