Транзисторы с каналом P SMD SI8487DB-T1-E1

 
SI8487DB-T1-E1
 
Артикул: 140933
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.41 грн
5+
28.71 грн
25+
25.84 грн
51+
19.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 885 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MICROFOOT® 1.6x1.6(1752147)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-6,4А(1588746)
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм(1441266)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,8/0,73Вт(1752146)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI8487DB-T1-E1
VISHAY
Артикул: 140933
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.41 грн
5+
28.71 грн
25+
25.84 грн
51+
19.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 885 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
MICROFOOT® 1.6x1.6
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-6,4А
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,8/0,73Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
80нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g