0 0 0
  8. SI9407BDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI9407BDY-T1-GE3

 
SI9407BDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860507
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.14 грн
5+
43.35 грн
25+
38.96 грн
33+
30.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2466 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-4,7А(1492317)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
5Вт(1520960)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,12 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860507
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.14 грн
5+
43.35 грн
25+
38.96 грн
33+
30.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2466 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-4,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,12 g