0 0 0
  8. SI9933CDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI9933CDY-T1-GE3

 
SI9933CDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140937
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
42.87 грн
44+
23.03 грн
121+
21.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2948 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм(1479055)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,11 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI9933CDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140937
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
42.87 грн
44+
23.03 грн
121+
21.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2948 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,11 g