0 0 0
  8. SIA430DJT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIA430DJT-T1-GE3

 
SIA430DJT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846993
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 12А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
18.76 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
18,5мОм(1829667)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
19,2Вт(1742122)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIA430DJT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846993
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 12А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
18.76 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
18,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
19,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g