0 0 0
  8. SIA432DJ-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIA432DJ-T1-GE3

 
SIA432DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847039
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
47.60 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
19,2Вт(1742122)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIA432DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847039
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
47.60 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
19,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g