0 0 0
  8. SIA446DJ-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIA446DJ-T1-GE3

 
SIA446DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947626
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А; 12Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
37.34 грн
10+
33.21 грн
25+
25.90 грн
49+
20.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SC70(1737249)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
7,7А(1492360)
Сопротивление в открытом состоянии
177мОм(1811062)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
12Вт(1507420)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIA446DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947626
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А; 12Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
37.34 грн
10+
33.21 грн
25+
25.90 грн
49+
20.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SC70
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
7,7А
Сопротивление в открытом состоянии
177мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
12Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g