0 0 0
  8. SIA456DJ-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIA456DJ-T1-GE3

 
SIA456DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947616
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.95 грн
10+
54.35 грн
25+
49.42 грн
26+
38.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SC70(1737249)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
1,38Ом(1638695)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
12Вт(1507420)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14,5нC(1609913)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2А(1709875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIA456DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947616
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.95 грн
10+
54.35 грн
25+
49.42 грн
26+
38.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SC70
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
1,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
12Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g