0 0 0
  8. SIA468DJ-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIA468DJ-T1-GE3

 
SIA468DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846857
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 37,8А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
22.35 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
37,8А(1628422)
Сопротивление в открытом состоянии
11,4мОм(1599926)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
19Вт(1623857)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIA468DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846857
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 37,8А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
22.35 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
37,8А
Сопротивление в открытом состоянии
11,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
19Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g