0 0 0
  8. SIA483ADJ-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIA483ADJ-T1-GE3

 
SIA483ADJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842610
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
13.10 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-12А(1479010)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
17,9Вт(1449539)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
26нC(1479074)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
-60А(1811034)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIA483ADJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842610
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
13.10 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-12А
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
17,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
26нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g