0 0 0
  7. SIA533EDJ-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SIA533EDJ-T1-GE3

 
SIA533EDJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842738
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
25.29 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
12/-12В(1596090)
Ток стока
4,5/-4,5А(1996954)
Сопротивление в открытом состоянии
215/70мОм(1986195)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
7,8Вт(1449553)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20/15нC(1986189)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SIA533EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842738
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
25.29 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
12/-12В
Ток стока
4,5/-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
215/70мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
7,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20/15нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g