0 0 0
  8. SIA811ADJ-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIA811ADJ-T1-GE3

 
SIA811ADJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842612
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
22.00 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
0,205Ом(1790173)
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky(1667411)
Рассеиваемая мощность
6,8Вт(1741787)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-8А(1741671)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIA811ADJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842612
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
22.00 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,205Ом
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
6,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g