0 0 0
  8. SIA817EDJ-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIA817EDJ-T1-GE3

 
SIA817EDJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842623
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
15.37 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky(1667411)
Рассеиваемая мощность
6,5Вт(1449367)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-15А(1741670)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIA817EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842623
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
15.37 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
6,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-15А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g