0 0 0
  7. SIA910EDJ-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SIA910EDJ-T1-GE3

 
SIA910EDJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842742
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
24.29 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
4,5А(1441265)
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
7,8Вт(1449553)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16нC(1479019)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SIA910EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842742
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
24.29 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
7,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g