Транзисторы с каналом P SMD SIA921EDJ-T1-GE3

 
SIA921EDJ-T1-GE3
 
Артикул: 947645
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
44.62 грн
10+
38.89 грн
25+
30.84 грн
40+
24.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SC70(1737249)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм(1479368)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
5Вт(1520960)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-15А(1741670)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIA921EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947645
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
44.62 грн
10+
38.89 грн
25+
30.84 грн
40+
24.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SC70
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-15А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g