Транзисторы с каналом N SMD SIAA00DJ-T1-GE3

 
SIAA00DJ-T1-GE3
 
Артикул: 846981
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
28.21 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
7,5мОм(1441297)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
19,2Вт(1742122)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIAA00DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846981
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
28.21 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
7,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
19,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
24нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g