0 0 0
  8. SIDR392DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIDR392DP-T1-GE3

 
SIDR392DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847058
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
128.64 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
930мкОм(1960067)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
188нC(1711211)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIDR392DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847058
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
128.64 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
930мкОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
188нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g