0 0 0
  8. SIDR608DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIDR608DP-T1-RE3

 
SIDR608DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847053
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
117.52 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
45В(1441651)
Ток стока
208А(1479570)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм(1479613)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
167нC(1750618)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
400А(1714521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIDR608DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847053
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
117.52 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
45В
Ток стока
208А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
167нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g